晶振系列
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陶瓷晶振 taocijingzhen -
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聲表面濾波器 Quartz Crystal -
聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
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精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
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微孔霧化片 微孔霧化片 -
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臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
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QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設(shè)計波段頻率控制設(shè)備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經(jīng)營者的踏實,誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實現(xiàn)共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價格,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與您建立長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL -
貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
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數(shù)碼產(chǎn)品
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醫(yī)療產(chǎn)品
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汽車產(chǎn)品
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移動產(chǎn)品
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智能家居
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網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
- 規(guī)格型號：66431852
- 頻率：3.579545MHz to 50MHz
- 尺寸：13.3*4.85
- 產(chǎn)品描述：Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000MTR貼片晶振,E1SJA18-6.000MTR,無源晶振，ECLIPTEK日蝕晶振，美國進口晶振，E1S系列晶振是一款小體積晶振尺寸13.3x4.85mm晶振，E1SJA18-20.000MTR兩腳貼片晶振，E1SDA12-25.000MTR...
Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振
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Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振，ECLIPTEK日蝕晶振，美國進口晶振，E1S系列晶振是一款小體積晶振尺寸13.3x4.85mm晶振，E1SJA18-20.000M TR兩腳貼片晶振，E1SDA12-25.000M TR石英晶振，無源晶振，E1SJA18-14.31818M TR石英晶體諧振器，MHz石英晶體，E1SEA18-12.000M TR無鉛環(huán)保晶振，被廣泛用于移動通訊設(shè)備，平板電腦，無線網(wǎng)絡(luò)晶振，藍牙模塊晶振，汽車電子晶振，醫(yī)療設(shè)備，數(shù)碼電子，物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用。
Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振,參數(shù)圖
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日蝕晶振 |
單位 |
E1S晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
3.579545MHz to 50MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標準（有關(guān)更多信息，請參見部件號指南選項） |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±150ppm |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.txccrystal.cn/
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
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Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振,尺寸圖
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Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振
在使用晶振時應(yīng)注意以下事項:
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3：化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂. Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作
| 制造商零件編號 | 供應(yīng)商 | 系列 | 類型 | 頻率 | 頻率穩(wěn)定性 |
| E1SJA18-7.3728M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 7.3728 MHz | ±30ppm |
| E1SCA18-8.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 8 MHz | ±100ppm |
| E1SFA18-25.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 25 MHz | ±50ppm |
| E1SJA18-4.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 4 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-25.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 25 MHz | ±30ppm |
| E1SEA18-8.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 8 MHz | ±50ppm |
| E1SDA12-25.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 25 MHz | ±50ppm |
| E1SFA12-3.6864M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 3.6864 MHz | ±50ppm |
| E1SJA18-6.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 6 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-18.432M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 18.432 MHz | ±30ppm |
| E1SFA18-4.000M TR | Ecliptek晶振 | E1S | MHz 晶體 | 4 MHz | ±50ppm |
| E1SJA18-14.31818M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 14.31818 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-6.144M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 6.144 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-28.63636M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 28.63636 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-13.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 13 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-19.6608M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 19.6608 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-9.8304M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 9.8304 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-18.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 18 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-20.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 20 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-14.7456M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 14.7456 MHz | ±30ppm |
| E1SCA18-7.3728M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 7.3728 MHz | ±100ppm |
| E1SEA18-16.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 16 MHz | ±50ppm |
| E1SEA18-12.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 12 MHz | ±50ppm |
| E1SJA18-10.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 10 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-12.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 12 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-11.0592M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 11.0592 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-8.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 8 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-16.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 16 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-3.579545M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 3.579545 MHz | ±30ppm |
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